ISC011N03L5SATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC011N03L5SATMA1 por Infineon e ISC015N04NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC011N03L5SATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,47 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V OptiMOS 5 40V Normal Level
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 100 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C 96 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55 C to +175 C (TJ) —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Gate Drive Logic-level compatible —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon SuperSO8 family)
FET Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Contagem de pinos — 8
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Fichas técnicas e recursos

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