ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon e BSC340N08NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC015N06NM5ATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55C to +150C
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Status RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 92 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Power Dissipation (Tc) — 32 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Nível MSL — 1
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fichas técnicas e recursos

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