ISC058N04NM5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC058N04NM5ATMA1 por Infineon e BSC0902NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC058N04NM5ATMA1 BSC0902NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,60 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55C to +150C (Tj)
RoHS Compliance RoHS Compliant Compliant (Pb-free lead plating)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Fichas técnicas e recursos

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