ISC058N04NM5ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC058N04NM5ATMA1 por Infineon e IPT067N20NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC058N04NM5ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,60 $4,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level OptiMOS 6
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Configuration — Single N-channel

Fichas técnicas e recursos

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