ISC0805NLSATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC0805NLSATMA1 por Infineon e ISC0703NLSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC0805NLSATMA1 | ISC0703NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,82 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ 5 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 74 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.3 V | — |
| Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V | 16 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.2 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 23 pF | — |
| Output Capacitance Coss | 360 pF | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 (5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (junction) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 57 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 44 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS family) |
| Standard Package Quantity | — | 5,000 (reel) |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |