K3KLELE0DM-BGCU vs K3KL4L40EM-BGCU Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K3KLELE0DM-BGCU por Samsung Electronics e K3KL4L40EM-BGCU por Samsung Electro-Mechanics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung
K3KLELE0DM-BGCU ✗ Fim de vidaSamsung Electro-Mechanics
K3KL4L40EM-BGCU - 12GB LPDDR5X DRAM 8533Mbps | Samsung
K3KL4L40EM-BGCU ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K3KLELE0DM-BGCU | K3KL4L40EM-BGCU |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Fim de vida | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $78,75 |
| Density | 144 Gb | 96 Gbit (12 GB) |
| Tipo de memória | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X DRAM |
| Organização da memória | x64 | x64 |
| Taxa de dados | 8533 Mbps | 8533 Mbps |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.9 V | — |
| Supply Voltage (VDDCA) | 0.5 V | — |
| Encapsulamento | 496-ball FBGA | 496-ball FBGA |
| Temperatura de operação | -25 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Application Class | AI and in-vehicle devices | — |
| Product Status | EOL | — |
| Interface | LPDDR5X | LPDDR5X (LPDDR5 JEDEC-based) |
| Power Efficiency vs Previous Generation | Approx. 25% better (per Samsung) | — |
| Speed vs Previous Generation | Approx. 1.25x faster (per Samsung) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Tensão de alimentação | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] |
| Application | — | Tablet, Smartphone, Wearable Devices |
| Product Family | — | Samsung LPDDR5X (K3KL4L40EM series) |
| Companion Densities | — | 64 Gbit (K3KL3L30DM-BGCU), 128 Gbit (K3KL5L50DM-BGCU) |
| Power Characteristic | — | Ultra-low-power mobile DRAM |
| Ball Count | — | 496 |
| Storage Class | — | Volatile memory (DRAM) |