K3LKJKJ0CM-MFCP vs K3LK8K80CM-MFCP Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K3LKJKJ0CM-MFCP por Samsung Electronics e K3LK8K80CM-MFCP por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K3LKJKJ0CM-MFCP | K3LK8K80CM-MFCP |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $21,90 | $0,00 |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor, Inc. | — |
| Product Family | LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) | — |
| Density | 24 Gbit (3 GB) | 48 Gbit (6 GB) |
| Taxa de dados | 6400 Mbps | — |
| Encapsulamento | 315-ball FBGA | 315-ball FBGA (MFCP) |
| Supply Voltage VDD2 | 1.8 V | — |
| Supply Voltage VDD1 | 1.05 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 0.9 V | — |
| Tipo de memória | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Organização da memória | [DATA_NEEDED: x-width organization] | [DATA_NEEDED: organization (x width)] |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: LPDDR5 RL/WL timings] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh scheme 8K/16K] | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: rohs compliance statement] | unknown |
| Operating Mode | Automotive-grade LPDDR5 (per Samsung automotive LPDDR5 listing) | — |
| Pin Speed | — | 6400 Mbps |
| Data Rate (package) | — | 51.2 GB/s (family max) |
| Interface | — | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) |
| Ball Count | — | 315 |
| Temperatura de operação | — | -40 C to +105 C (automotive-grade) |
| Tensão de alimentação | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] |
| Power Saving vs LPDDR4X | — | Approximately 20% |
| Generation | — | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) |
| Application Grade | — | Automotive-grade storage chip |
| Place of Origin | — | Johor, Malaysia |