K4RAH086VE-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VE-BCWM por Samsung Electronics e K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH086VE-BCWM K4RHE086VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $7,60 $7,65
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 24 Gb
Organização da memória 2G x 8 2G x 8
Taxa de dados 5600 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Encapsulamento 82-ball FBGA 82 FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Generation DDR5 —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] —
VDDQ Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ value] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Status do ciclo de vida Mass Production —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Semiconductor
Tensão de alimentação — 1.1 V
Interface — DDR5 (JEDEC)
Configuration — x8
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
On-Die ECC — [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação