M29F200FT55M3F2 vs M29F200FT55N3F2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F200FT55M3F2 por Micron Technology e M29F200FT55N3F2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Ativo
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F200FT55M3F2 M29F200FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $0,00
Tipo de memória Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organização da memória 256K x 8 / 128K x 16 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Top Boot Block Top Boot Block
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
Encapsulamento 44-pin SO (TSOP) 48-pin TSOP
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR suffix)
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 128 K
Bits per Word — 16 bits
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
Interface — Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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