M29W320DB70N3E vs M29W320DT70N3F Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W320DB70N3E por Micron Technology e M29W320DT70N3F por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W320DB70N3E | M29W320DT70N3F |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Flash | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,95 | $2,95 |
| Tipo de memória | NOR Flash | FLASH - NOR |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | — |
| Organização da memória | 2M x 16 | — |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | 12 V (optional) |
| Interface | Parallel | Parallel (Byte-wide) |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | Non-uniform parameter blocks |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | — |
| Encapsulamento | 48-TSOP I | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Tamanho da memória | — | 32 Mbit (4M x 8, 2M x 16) |
| Access Speed | — | 70 ns |
| Supply Voltage - VCC | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Boot Block Organization | — | Top boot block (DT suffix) |
| Encapsulamento / Caixa | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Max Seated Height | — | 1.2 mm |
| Number of Terminals | — | 48 |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Write Cycle - Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |