MPXH6115A6U vs MPXAZ6115AP Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MPXH6115A6U por NXP Semiconductors e MPXAZ6115AP por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
NXP Semiconductors
MPXH6115A6U - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor, SOIC-8 | NXP
MPXH6115A6U ✓ AtivoNXP Semiconductors
MPXAZ6115AP - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor, Side Port | NXP
MPXAZ6115AP ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MPXH6115A6U | MPXAZ6115AP |
|---|---|---|
| Marca | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Categoria | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $9,95 | $10,30 |
| Pressure Type | Absolute | Absolute |
| Operating Pressure Range | 15 kPa to 115 kPa (2.18 PSI to 16.68 PSI) | 15 kPa to 115 kPa (2.18 PSI to 16.68 PSI) |
| Maximum Over-Pressure | 400 kPa | — |
| Sensitivity | 45.9 mV/kPa (typical) | — |
| Accuracy (0C to 85C) | 1.5 % (max) | — |
| Faixa de tensão de saída | 0.2 V to 4.7 V | 0.2 V to 4.7 V |
| Tensão de alimentação | 4.75 V to 5.25 V | 4.75 V to 5.25 V (5 V nominal) |
| Corrente de alimentação | 6 mA (typical) | — |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| Compensated Temperature | 0C to +85C | — |
| Tipo de saída | Analog, ratiometric to VCC | Analog Voltage |
| Encapsulamento | 8-SOIC (0.295", 7.50 mm width) with top-side pressure port | 8-SMD, Gull Wing, Side Port (SOP-8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Pressure Port | Vertical/Horizontal axial port (case variant 6) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance] | Compliant |
| Media Compatibility | Dry air, non-corrosive gases only | — |
| Maximum Overpressure | — | [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] |
| Accuracy | — | +/-1.5% |
| Port Style | — | Male 0.13 in (3.17 mm) tube, side-mounted |
| Technology | — | Piezoresistive silicon, monolithic with on-chip bipolar op-amp |
| Temperature Compensation | — | On-chip, -40 C to +125 C |
| Port Material | — | PPS thermoplastic (media resistant) |