MT40A512M16LY-062E AAT:E vs MT40A512M16LY-062E:E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16LY-062E AAT:E por Micron Technology e MT40A512M16LY-062E:E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E:E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,20 $34,99
Tipo de memória DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Tamanho da memória 8 Gbit (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
Interface Parallel Parallel (LVCMOS / SSTL)
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade)
Access Time 19 ns —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Speed Grade 062E —
Encapsulamento 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron]
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
Status RoHS Compliant Compliant
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
Density — 8 Gbit (512M x 16)
Organização da memória — x16
Taxa de dados — 3200 MT/s
Access Time (tRCD/tRP) — 19 ns (per DigiKey listing)
Voltage - Supply (VDD) — 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max
Voltage - VPP — 2.5 V (typical)
Encapsulamento / Caixa — 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm)
Refresh Cycles — 65536
On-Die Termination — Yes (ODT)
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes (data channel)
Data Mask Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes (LPASR)
Asynchronous Reset — Yes

Fichas técnicas e recursos

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