MT40A512M16TD-062E AUT:R vs K4A4G165WG-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16TD-062E AUT:R por Micron Technology e K4A4G165WG-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron
MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ AtivoSamsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT40A512M16TD-062E AUT:R | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,90 | $16,90 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Tamanho da memória | 8 Gbit | 4 Gbit |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | 19 ns |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulamento | 96-FBGA (7.5 x 13 mm) | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (AUT grade) | — |
| Packaging Suffix | -R (Tape & Reel) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Technology Family | DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval spec] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Taxa de dados | — | 3200 Mbps |
| Temperatura de operação | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| Status RoHS | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |