MT41K256M16HA-125 vs H5AN8G4NCJR-XXC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16HA-125 por Micron Technology e H5AN8G4NCJR-xxC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT41K256M16HA-125 H5AN8G4NCJR-xxC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,36 $8,50
Tipo de memória SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 4Gbit (256M x 16) —
Largura do barramento de dados 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Tensão de alimentação 1.35 V 1.2V
Encapsulamento 96-FBGA (9x14 mm) FBGA
Número de pinos 96 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
Latência CAS 11 —
Density — 8Gb
Organização da memória — x4 (H5AN8G4NCJR)
Taxa de dados — [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

Fichas técnicas e recursos

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