MT53E128M32D2DS-053 vs MT53D512M32D2DS-053 WT:D Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT53E128M32D2DS-053 por Micron Technology e MT53D512M32D2DS-053 WT:D por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT53E128M32D2DS-053 - 4Gb LPDDR4/LPDDR4X DRAM | Micron
MT53E128M32D2DS-053 ✓ AtivoMicron Technology
MT53D512M32D2DS-053 WT:D - 16Gb LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-053 WT:D ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT53E128M32D2DS-053 | MT53D512M32D2DS-053 WT:D |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,55 | $6,05 |
| Tipo de memória | Mobile LPDDR4 / LPDDR4X SDRAM (unified) | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organização da memória | 128M x 32 | 512M x 32 |
| Taxa de dados | 1.866 GHz (1866 Mbps/pin) | — |
| Speed Grade | -053 | -053 |
| Encapsulamento | 200-ball WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) |
| VDDQ (LPDDR4X mode) | 0.6 V | — |
| VDDQ (LPDDR4 mode) | 1.10 V | — |
| VDD | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| Configuration | DDP (double-die package) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Variant | MT53E128M32D2DS-053 AUT:A / AAT:A / AIT:A available | — |
| Status RoHS | Compliant | RoHS Compliant (per DigiKey listing) |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode 8x/16x] | Auto refresh and self refresh |
| Access Type | Synchronous, bank-group burst | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tamanho da memória | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Clock Frequency / Data Rate | — | 1.866 GHz (1866 MT/s) |
| Die Configuration | — | DDP (Double Die Package) |
| Recursos | — | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration, asynchronous reset, data mask |
| Largura do barramento de dados | — | 32 bit |
| Memory Interface | — | Parallel, LPDDR4 |
| Self-Refresh | — | Auto self-refresh with temperature-compensated refresh |
| Tensão de alimentação | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] |