TLP127(TPL,U,F) vs TLP183(GB-TPL Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TLP127(TPL,U,F) por Toshiba e TLP183(GB-TPL por Toshiba. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro TLP127(TPL,U,F) TLP183(GB-TPL
Marca Toshiba Toshiba
Categoria Optocouplers Optocouplers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,12
Tipo de saída DC Darlington Phototransistor Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Input Type DC (GaAs IR LED) DC (InGaAs Infrared LED)
Forward Voltage VF (typ) 1.15 V at IF=10 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) min 1000 % at IF=10 mA, VCE=2 V —
Collector-Emitter Voltage VCEO (max) 300 V —
Collector Current IC (max) 150 mA —
Tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) 1.2 V at IC=100 mA, IF=10 mA —
Turn-On Time ton 15 us at IF=10 mA, RL=100 ohm —
Turn-Off Time toff 40 us at IF=10 mA, RL=100 ohm —
Isolation Voltage (rms) 2500 Vrms —
Temperatura de operação -55 C to +100 C -55 C to +125 C
Encapsulamento MFSOP6 / SO6 Mini-Flat, 4 lead 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Isolation Voltage — 3750 Vrms
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Tensão coletor-emissor (Vceo) — 80 V max
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
Corrente de coletor (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Fichas técnicas e recursos

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