TLP183(GR) vs TLP183(GB-TPL Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TLP183(GR) por Toshiba e TLP183(GB-TPL por Toshiba. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro TLP183(GR) TLP183(GB-TPL
Marca Toshiba Toshiba
Categoria Optocouplers Optocouplers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,20 $0,12
Tipo de saída Phototransistor (DC input, transistor output) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Isolation Voltage 3750 Vrms (minimum) 3750 Vrms
Current Transfer Ratio (CTR) 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA) —
Tensão coletor-emissor (Vceo) 80 V minimum 80 V max
Emitter-Collector Voltage (VECO) 6 V minimum 7 V max
Collector Current 50 mA maximum —
Forward Current (IF) 50 mA maximum 50 mA max
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA] 1.25 V typ at IF=10 mA
Switching Time (tR, tF) 2 us typical —
Temperatura de operação -55C to +125C -55 C to +125 C
Encapsulamento SO6 (4-pin surface mount) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
CTR Bin GR —
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Input Type — DC (InGaAs Infrared LED)
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Corrente de coletor (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Fichas técnicas e recursos

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