1ED3122MC12HXUMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1ED3122MC12HXUMA1 от Infineon и 2EDN7534RXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1ED3122MC12HXUMA1 2EDN7534RXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,92 $0,40
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) —
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 2
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
Рабочая температура -40 C to +125 C -40C to +125C
Корпус PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-TSSOP-8
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 2 1 (unlimited)
Статус RoHS Compliant Compliant
Функция — Low-side gate driver
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Выходная конфигурация — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену