1ED3890MC12MXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок 1ED3890MC12MXUMA1 от Infineon и 1ED3124MC12HXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | 1ED3890MC12MXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,30 | $1,45 |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5700 Vrms | — |
| Peak Output Current (Source/Sink) | ±9 A | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Выходная конфигурация | High-Side Non-Inverting | — |
| Корпус | PG-DSO-16-28 (16-pin wide-body DSO) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Тип монтажа | Surface Mount (Tape & Reel) | Surface Mount |
| Isolation Technology | Coreless transformer (galvanic) | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Configurable Interface | I2C (DESAT, UVLO, drive voltage) | — |
| Protection Features | DESAT short-circuit, Active Miller clamp, Soft Turn-Off (STO), UVLO | — |
| Target Power Devices | IGBT, SiC MOSFET, MOSFET | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Propagation Delay | [DATA_NEEDED: typical propagation delay] | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | [DATA_NEEDED: CMTI rating] | — |
| Supply Voltage (VCC side) | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Output Drive Voltage (VOUT) | [DATA_NEEDED: VOUT range] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Количество выходов | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Время нарастания | — | 15 ns |
| Время спада | — | 30 ns |
| Рабочая температура | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |