1EDN7550BXTSA1 vs 1ED44173N01BXTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDN7550BXTSA1 от Infineon и 1ED44173N01BXTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1ED44173N01BXTSA1 1ED44173N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side Gate Driver | Infineon

1ED44173N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side Gate Driver | Infineon

1ED44173N01BXTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDN7550BXTSA1 1ED44173N01BXTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,59 $0,42
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Рабочая температура перехода -40 °C to +150 °C —
Корпус PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-SOT23-6-3 (6-pin)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Product Type — Low-Side MOSFET Gate Driver
Number of Channels — 1
Configuration — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 25 V
Output Current (Source) — 2.6 A typical
Output Current (Sink) — 2.6 A typical
Время нарастания — [DATA_NEEDED: rise time]
Время спада — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay — < 100 ns typical
Ток покоя — 0.4 mA typical
Over-Current Protection — Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold)
Fault Reporting — Yes (open-drain FAULT pin)
Вывод разрешения — Yes
Рабочая температура — -40 C to +125 C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену