2ED2108S06FXUMA1 vs 1EDN7550BXTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2ED2108S06FXUMA1 от Infineon и 1EDN7550BXTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2ED2108S06FXUMA1 1EDN7550BXTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,30 $0,59
Driver Configuration Half-Bridge Single-channel, high-side / low-side
Number of Drivers 1 —
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
Количество выходов 2 (high-side + low-side) —
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
Рабочая температура -40 C to +125 C —
Корпус PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-SOT23-6 (SOT-23-6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Статус RoHS Compliant Compliant
Input Type — Non-inverting, truly differential
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Supply Voltage (VDD max) — 84 V
Minimum Input Pulse Width — 29 ns
Input Common-Mode Range — Up to 150 V
Channel-to-Channel Matching — 1.0 ns typ.
Internal Regulator — 4.7 V on input side
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Рабочая температура перехода — -40 °C to +150 °C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену