2EDL5013U2DXTMA1 vs IRS2110SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2EDL5013U2DXTMA1 от Infineon и IRS2110SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ Активен
Infineon
IRS2110SPBF IRS2110SPBF - 500V High/Low Side 2.5A Gate Driver SOIC-16

IRS2110SPBF - 500V High/Low Side 2.5A Gate Driver SOIC-16

IRS2110SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2EDL5013U2DXTMA1 IRS2110SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,85 $0,72
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
Выходная конфигурация Non-Inverting Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns 25 ns
Fall Time (typ.) 3.5 ns 17 ns
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated —
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
Диапазон рабочих температур -40C to +125C -40 C to +125 C
Корпус PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) 16-SOIC (SOIC-16 W)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS with hysteresis
Уровень MSL — 3

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену