ATSAME51J19A-MU vs ATSAME51J20A-MU Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ATSAME51J19A-MU от Microchip Technology и ATSAME51J20A-MU от Microchip Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Microchip Technology
ATSAME51J19A-MU - 120MHz Cortex-M4F MCU, 512KB Flash | Microchip
ATSAME51J19A-MU ✓ АктивенMicrochip Technology
ATSAME51J20A-MU - 120MHz Cortex-M4F MCU, 1MB Flash, 64-VQFN | Microchip
ATSAME51J20A-MU ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ATSAME51J19A-MU | ATSAME51J20A-MU |
|---|---|---|
| Бренд | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Категория | Microcontrollers | Microcontrollers |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,65 | $7,65 |
| Core | ARM Cortex-M4F with FPU | ARM Cortex-M4F with single-precision FPU |
| Core Architecture | 32-bit RISC | — |
| Максимальная тактовая частота | 120 MHz | 120 MHz |
| Program Memory (Flash) | 512 KB | — |
| SRAM | 192 KB | 256 KB |
| Корпус | 64-VQFN (9x9 mm) with exposed pad | 64-VQFN (9x9 mm) with exposed pad |
| Operating Voltage Range | 1.71 V to 3.63 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -40 C to +85 C (industrial) | — |
| ADC | 12-bit, up to 1 MSPS | 16-channel, 12-bit, 1 Msps |
| DAC | 12-bit | 2 x 12-bit |
| USB | USB 2.0 Full-Speed device/host with on-chip PHY | USB 2.0 Full-Speed with embedded Host |
| CAN | CAN-FD | CAN-FD controller |
| SERCOM Channels | 8 (configurable UART/SPI/I2C) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Series | SAM E51 | — |
| Number of I/O Pins | [DATA_NEEDED: I/O pin count] | — |
| CoreMark Efficiency | — | 2.14 CoreMark/MHz |
| Flash Memory | — | 1 MB (1M x 8) dual-panel with ECC |
| Crypto Accelerator | — | AES, SHA, TRNG |
| SERCOM | — | Configurable serial interfaces |
| EVENT System | — | 32 channels |
| Operating Voltage | — | 3.3 V |
| Рабочая температура | — | -40 °C to +85 °C |