BSC014N04LSATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC014N04LSATMA1 от Infineon и BSC014N04LSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC014N04LSATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,74 | $0,39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | -55 C to +150 C |
| Корпус | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| Tradename | — | OptiMOS |