BSC014N04LSATMA1 vs BSC019N04NSGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC014N04LSATMA1 от Infineon и BSC019N04NSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC014N04LSATMA1 | BSC019N04NSGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,74 | $0,58 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | -55C to +150C |
| Корпус | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | OptiMOS (trench) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 (unlimited) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mΩ |
| RDS(on) typ at VGS=10V | — | 1.9 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 125 W |