BSC014N04LSIATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC014N04LSIATMA1 от Infineon и ISC015N04NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC014N04LSIATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,39 $0,98
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Корпус PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Статус RoHS Compliant Compliant
Tradename OptiMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Корпус / Типоразмер — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Число выводов — 8
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену