BSC019N04NSGATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC019N04NSGATMA1 от Infineon и BSC022N04LS6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSC019N04NSGATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,58 | $0,66 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (trench) | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| RDS(on) typ at VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 125 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Число выводов | — | 8 |
| Рабочая температура | — | -55 C to +175 C (junction) |