BSC028N06NSTATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC028N06NSTATMA1 от Infineon и BSC016N06NSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC028N06NSTATMA1 BSC016N06NSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,40 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Part Number Base BSC028N06NS —
Technology MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V to 3.5 V —
Total Gate Charge Qg 37 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] —
Output Capacitance Coss 825 pF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 56 pF —
Power Dissipation (TA) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (TC) 100 W 139 W
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Без галогенов Yes —
Уровень MSL 1 1 (unlimited)
AEC-Q101 Automotive Qualified [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +150 °C
Gate Drive (recommended) — 10 V

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену