BSC039N06NSATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC039N06NSATMA1 от Infineon и BSC034N06NSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 - 60V 3.9mΩ 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC039N06NSATMA1 - 60V 3.9mΩ 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC039N06NSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC039N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,46 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Корпус PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) OptiMOS 5
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Статус RoHS Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену