BSC039N06NSATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC039N06NSATMA1 от Infineon и BSZ060NE2LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC039N06NSATMA1 BSC039N06NSATMA1 - 60V 3.9mΩ 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC039N06NSATMA1 - 60V 3.9mΩ 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC039N06NSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 - 25V 44A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ060NE2LSATMA1 - 25V 44A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ060NE2LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC039N06NSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,46 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] 44 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Корпус PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Part Number — BSZ060NE2LSATMA1
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C
Shipping Packaging — Tape & Reel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену