BSC040N08NS5ATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC040N08NS5ATMA1 от Infineon и IAUC100N08S5N043ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N08NS5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC040N08NS5ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,15 $1,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC040N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) 121 A —
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 4 mOhm —
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 104 W —
Корпус PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-34 (SuperSO8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Статус RoHS Compliant —
Уровень MSL 1 —
Primary Application Synchronous rectification in telecom and server power supplies —
Part Series — IAUC / OptiMOS 5
Тип транзистора — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 100 A (package limited)
Continuous Drain Current (chip-limited) — 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W
Maximum R<sub>DS(on)</sub> — 4.3 mΩ
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 125 W (T<sub>C</sub>)
Диапазон рабочих температур — -55°C to +175°C
Число выводов — 8
Уровень чувствительности к влаге (MSL) — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)
Channel Mode — Enhancement

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену