BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC047N08NS3GATMA1 от Infineon и BSC010NE2LSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC047N08NS3GATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,46 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC047N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel trench) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 4.7 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissition (Tc) 125 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) Normal level (typ 1.7 V) —
Avalanche Rated 100% tested —
Корпус PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C (Tj) -55C to +150C (TJ)
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Series / Family — OptiMOS 25V
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Число выводов — 8
Статус RoHS — Compliant
Gate Drive — Logic-level compatible
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену