BSC0902NSATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC0902NSATMA1 от Infineon и BSC011N03LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0902NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0902NSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC0902NSATMA1 BSC011N03LSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,78 $0,54
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 48 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RDS(on) @ VGS=10V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
RDS(on) @ VGS=4.5V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (Tj) -55C to +150C
Корпус PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC qualified for target applications —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free lead plating) —
Без галогенов Yes, per IEC 61249-2-21 —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 30V
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 37 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 100 A (TC)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.1 mOhm (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 96 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Уровень MSL — 1
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену