BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC117N08NS5ATMA1 от Infineon и BSC077N12NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSC117N08NS5ATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,46 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 8 | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Уровень MSL | 1 | 1 |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 98 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55C to +150C |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |