BSL308CH6327XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSL308CH6327XTSA1 от Infineon и BSD214SNH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSL308CH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,21 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
Корпус PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes (per Infineon product family convention) —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену