BSZ024N04LS6ATMA1 vs IQD005N04NM6CGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ024N04LS6ATMA1 от Infineon и IQD005N04NM6CGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ024N04LS6ATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,46 $1,62
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 (shielded-gate trench) OptiMOS 6 (trench FET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 24 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 130 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 2.4 mΩ —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.3 V (typical) —
Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V 25 nC —
Input Capacitance (C_iss) 1.8 nF —
Output Capacitance (C_oss) 19 pF —
Power Dissipation (P_D, Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (P_D, Tc) 75 W —
Рабочая температура перехода -55°C to +175°C —
Корпус PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²)
Тип монтажа Surface Mount, top-side drain pad Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RDS(on) Typical — 0.5 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 58 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 610 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating]
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 333 W
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +150 °C (TJ)
Число выводов — 9
Lead-Free — Yes
Source Configuration — Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену