BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ031NE2LS5ATMA1 от Infineon и BSC0921NDIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 - Dual N-Ch 30V OptiMOS 25V MOSFET | Infineon

BSC0921NDIATMA1 - Dual N-Ch 30V OptiMOS 25V MOSFET | Infineon

BSC0921NDIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ031NE2LS5ATMA1 BSC0921NDIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,26 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 —
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 31 A (per channel, package-limited)
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +150 C —
Корпус PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL] 1 (per Infineon OptiMOS family)
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Technology — OptiMOS 25V (N-channel)
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Рабочая температура — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену