BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ150N10LS3GATMA1 от Infineon и BSZ110N08NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSZ150N10LS3GATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,65 | $0,44 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ150N10LS3GATMA1 | — |
| Technology / Family | OptiMOS 3 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15 mΩ | 11 mΩ |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | 2.1 W | — |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 63 W | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55 °C to +150 °C | — |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Reflow | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Technology | — | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |