EP4CE15E22C8N vs EP4CE15F1717N Сравнение
Подробное сравнение бок о бок EP4CE15E22C8N от Intel и EP4CE15F1717N от Intel. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | EP4CE15E22C8N | EP4CE15F1717N |
|---|---|---|
| Бренд | Intel | Intel |
| Категория | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $15,95 | $35,20 |
| Series | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LEs) | 15,408 | — |
| Embedded Memory (Bits) | 516,096 | — |
| Embedded Memory (Kbits) | 504 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | 56 |
| General Purpose PLLs | 4 | — |
| User I/O Pins | 81 | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Рабочая температура | 0C to +85C (Commercial) | 0C to +85C (commercial "N" suffix) |
| Speed Grade | 8 | 7 |
| Корпус | 144-pin EQFP (Enhanced QFP) with Exposed Pad | 256-ball F-BGA (FBGA-256) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Уровень MSL | 3 | 3 (168 hours) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | 60 nm low-power |
| Configuration Method | SRAM-based, AS / PS / JTAG | — |
| Logic Elements (LE) | — | 15,408 |
| Embedded Memory | — | 516,096 bits (56 M9K blocks) |
| Maximum User I/Os | — | 165 |
| PLLs | — | 4 |
| Global Clock Networks | — | 20 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.0 V / 1.2 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V |
| Package Pitch | — | 1.0 mm |
| LVDS Performance | — | Up to 343 Mbps |
| Configuration Mode | — | External serial/parallel flash (volatile SRAM) |