EP4CE75F23C7N vs EP4CE75F23C9LN Сравнение
Подробное сравнение бок о бок EP4CE75F23C7N от Intel и EP4CE75F23C9LN от Intel. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | EP4CE75F23C7N | EP4CE75F23C9LN |
|---|---|---|
| Бренд | Intel | Intel |
| Категория | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $136,85 | $139,85 |
| Family | Cyclone IV E | Cyclone IV E (EP4CE75) |
| Logic Elements (LE) | 75,408 | — |
| Embedded Memory Bits | 2,810,880 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 266 | 15 |
| User I/Os | 292 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clocks | 20 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 4,713 | 4,713 |
| Корпус | 484-BGA (FBGA-484) | 484-ball FBGA (F23), 23 x 23 mm, 1.0 mm pitch |
| Pin/Pitch | 484 / 1.0 mm | — |
| Supply Voltage (Core) | 1.2 V | — |
| Рабочая температура | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: exact Tj/grade letter for C9 speed grade] |
| Speed Grade | C7 | C9 (commercial, 9 ns) |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | 60 nm CMOS, low-power |
| Configuration Interface | JTAG, Active Serial, Passive Serial | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Series | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LEs) | — | 75,408 |
| Total RAM Bits | — | 2,810,880 bits (274 Kbits M9K + 200 Kbits distributed) |
| Maximum User I/O | — | 292 |
| I/O Banks | — | 8 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| Analog Voltage (VCCA) | — | 2.5 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V to 3.3 V (per bank) |
| Maximum Internal Frequency | — | 265 MHz (per FindIC) / 200 MHz (typical logic) |
| Configuration Schemes | — | AS, AP, FPP, PS, JTAG |
| RoHS / Lead-Free | — | Lead-free (per FindIC part description) |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |