H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-UHC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G6NBJR-VKC от SK hynix и H5AN4G6NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G6NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $12,96 | $8,09 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) | 1.14 V to 1.26 V |
| Operating Current | 38 mA (typical, per distributor data) | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Рабочая температура | -40C to +95C | -40C to +95C |
| Корпус | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Body Size | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration; write leveling | — |
| Protection Functions | Asynchronous reset; CRC; data mask | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| Организация памяти | — | 256M x 16 |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | — | Yes (RESET_n) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |