H5ANAG6NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-UHC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5ANAG6NBJR-UHC от SK hynix и H5ANAG4NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5ANAG6NBJR-UHC | H5ANAG4NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | DRAM | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,09 | $8,09 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x16 |
| Интерфейс | DDR4 (CMOS) | CMOS, DDR4 (double data rate) |
| Корпус | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (PBGA96) |
| Package Dimensions | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) | — |
| Access Mode | Multi Bank, Page Burst | — |
| Рабочая температура | -40C to +95C | -40C to +95C |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| Data Mask | Supported (DM function) | — |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Write Leveling | Supported | Yes |
| CRC | Supported | — |
| Supply Voltage Class | DDR4 (1.2 V class) | — |
| Статус RoHS | RoHS Compliant | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| HTS Code | 8542.32.00.36 | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Clock / Data Rate | — | 1.6 GHz |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Тип монтажа | — | Surface Mount (BGA) |