IAUC120N04S6L009ATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUC120N04S6L009ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7L019ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 IAUC120N04S6L009ATMA1 - 40V 0.9mΩ 120A OptiMOS-6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L009ATMA1 - 40V 0.9mΩ 120A OptiMOS-6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L009ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7L019ATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1 - 40V 1.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L019ATMA1 - 40V 1.91mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L019ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUC120N04S6L009ATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,65 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-6 40V —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 150 A (per datasheet header) —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 0.9 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Gate Charge Q<sub>g</sub> [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation P<sub>D</sub> (T<sub>C</sub>=25°C) 150 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless, SS08) PG-TDSON-8-33
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 —
AEC-Q101 Automotive Qualification Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Avalanche Energy E<sub>AS</sub> [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Series — OptiMOS™ 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
Рабочая температура — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
Тепловое сопротивление, переход-среда — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену