IAUC60N06S5L073ATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUC60N06S5L073ATMA1 от Infineon и BSC0911NDATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 - 25V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

BSC0911NDATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUC60N06S5L073ATMA1 BSC0911NDATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,41 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 60 A —
On-Resistance RDS(on) max 7.3 mΩ —
Total Gate Charge (QG) 17.4 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
Корпус PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS trench MOSFET
Количество выводов 8 —
Configuration Single N-Channel Dual N-Channel (2 N-CH)
Qualification AEC-Q101 automotive grade —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] —
Product Family — OptiMOS 25V
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Рабочая температура — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену