IAUCN04S7L014ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7L014ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7L050HATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,38 $0,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Automotive OptiMOS™ 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 120 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.43 mΩ —
Пороговое напряжение затвора [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Pd) [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] —
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) —
Корпус PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration Single N-Channel MOSFET Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
Рабочая температура перехода — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (family-level, automotive grade)
Technology — Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену