IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7N019DATMA1 от Infineon и IAUCN04S7L042GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 7 40V Trench N-Channel MOSFET
Configuration Dual N-Channel (array) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 160 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Корпус PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Input Capacitance (Ciss, typ.) 1.465 nF —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (family) —
ESD Protection Yes (gate integrated) —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7 40V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C (Tj)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену