IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7N037GATMA1 от Infineon и IAUCN04S7L028ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,89 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 7
Technology Trench MOSFET, N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 91 A —
On-State Resistance RDS(on) typical 3.65 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc 57 W —
Корпус SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP)
Тип монтажа Surface Mount (IMS substrate attach compatible) Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] —
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] 1.578 nF
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 2.80 mOhm at VGS=10 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported)
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 1.8 V (typ)
Gate Charge (Qg) — 24 nC at VGS=10 V
Output Capacitance (Coss) — 788 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 36 pF
Рассеиваемая мощность (Ptot) — 58 W
Рабочая температура перехода — -55 C to +175 C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену