IAUZ30N06S5L140ATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUZ30N06S5L140ATMA1 от Infineon и BSC039N06NSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IAUZ30N06S5L140ATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,96 | $0,46 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 30 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 33 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | 14 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 12.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 888 pF @ VDS=30 V | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +175°C | -55C to +150C |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| Automotive Grade | AEC-Q101 qualified | — |
| Gate-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (RoHS compliant) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| Количество выводов | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |
| Technology | — | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Статус RoHS | — | Compliant |