IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs ISK057N04LM6ATLA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUZ30N08S5N186ATMA1 от Infineon и ISK057N04LM6ATLA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUZ30N08S5N186ATMA1 ISK057N04LM6ATLA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,48 $0,52
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) Trench (OptiMOS 6)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 30 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 41 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C (automotive) -55 °C to +150 °C
Корпус PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max]
RDS(on) typical at VGS=10V — 5.7 mΩ
Gate Charge (Qg total) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 39.1 W
Корпус / Типоразмер — PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2)
Packaging — Tape & Reel (TR)
DigiKey Part Number — 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену