IKD10N60RC2ATMA1 vs IGD08N120S7ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IKD10N60RC2ATMA1 от Infineon и IGD08N120S7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IKD10N60RC2ATMA1 IGD08N120S7ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория IGBTs IGBTs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,83 $1,65
Collector-Emitter Voltage (V_CE) 600 V —
Continuous Collector Current (I_C nom) 10 A —
Pulsed Collector Current (I_Cp) 18.8 A —
Maximum Power Dissipation (P_tot) 79 W —
Technology TRENCHSTOP RC2 (Trench Field Stop IGBT with monolithically integrated diode) Trench Field Stop, 7th generation
Integrated Diode Yes - reverse-conducting 2-diode co-packed —
Корпус PG-TO252-3 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -40 C to +175 C (junction) —
Gate-Emitter Voltage (V_GE) [DATA_NEEDED: recommended V_GE value] —
V_CE(sat) at I_C [DATA_NEEDED: typical V_CE(sat)] —
Switching Frequency (typical) 10 - 30 kHz (hard-switching) —
Short-Circuit Withstand Time [DATA_NEEDED: t_sc rating] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial (qualified per Infineon product validation) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — IGBT 7 (S7) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (Vce max) — 1200 V
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) — 24 A
Pulsed Collector Current (Icm) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Total Power Dissipation (Ptot) — 106 W
Gate-Emitter Voltage (Vge max) — [DATA_NEEDED: Vge max]
VCE(sat) at rated Ic — 1.65 V
Co-packaged Diode — Yes (anti-parallel emitter diode)
Рабочая температура перехода — -40C to +175C (industry grade)
Configuration — Single

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену